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合理的配方和工藝是控制材料的化學成分和微觀結構，獲取優良的宏觀物理性能的關鍵。而ZnO壓敏陶瓷實驗配方的設計是晶粒能否低壓化的關鍵技術之一，各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結構和晶界特性，進而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質對本征缺陷,尤其是對氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中，影響燒結時晶粒的生長、液相在冷卻時的去潤濕作用以及陶瓷的電子缺陷態。到目前為止，人們對低壓化及摻雜改性方面己經作了很多研究工作，得到了許多有價值的結果，如Co、Mn

、Sb等可改善非線性指數，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生長，Be、Ti、Sn則可促進晶粒生長。

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壓敏電阻連續工作電壓壽命，即壓敏電阻在規定環境和系統電壓條件下應能可靠地工作規定的時間（h）。由于壓敏電阻總是承受著穩態工作電壓應力的作用，壓敏電阻的壽命是與漏電流密切相關的。在不發生機械或其他電氣性能失效的情況下，壓敏電阻的壽命主要由漏電流IR（密度JR）及其溫度、電壓和時間的上升情況所決定。隨著漏電流IR（密度JR）升高，發熱量增大，若這個能量不能散失，元件的溫度會很快上升，這種元件在維持一段初始穩定狀態后，終將達到熱失控（擊穿）的溫度而結束其使用壽命。

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