壓敏電阻_510V壓敏電阻_過壓保護|防雷(多圖)：

壓敏電阻采購，就選源林電子，品類豐富

ZnO是六方晶系纖鋅礦結構，其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結構，開放的結構對缺陷的性質及擴散機制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負離子的配位數均為4，所以容易引入外部雜質，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。

Eda等認為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

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氧化鋅壓敏電阻器已經越來越多地走進了人們的視線，在通訊供電以及智能產品上都能夠看見到他的身影。那么這種壓敏電阻器在應用過程中的優(yōu)點有哪一些呢，讓我們來看看吧

(1) 通流容量大

(2) 限制電壓低

(3) 響應速度快

(4) 無續(xù)流

(5) 對稱的伏安特性(即產品無極性)

(6) 電壓溫度系數低

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團隊，廠家直銷！

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殘壓比KR  

通過壓敏電阻器的電流為某一值時，在它兩端所產生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標準電性能參數。

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