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ZnO晶相位于晶粒體內(nèi)，為低電阻率的半導(dǎo)體，對大電流特性有決定性作用。ZnO半導(dǎo)化的原因主要是氧不足導(dǎo)致的非化學(xué)計量比和施主摻雜，有大量的導(dǎo)電電子存在，為n型半導(dǎo)體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩(wěn)定尖晶石相的作用，高溫冷卻時，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成，850℃時達(dá)到峰值，約950℃時消失，

反應(yīng)式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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老化的表現(xiàn)：

老化是指在各種外加應(yīng)力及外界因素作用下，其性能及電氣物理參數(shù)發(fā)生改變，逐步偏離其起始性能指標(biāo)。ZnO壓敏電阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在預(yù)擊穿區(qū)，而擊穿區(qū)的老化較小，表現(xiàn)為I-V特性曲線在低電場區(qū)向右偏移，阻性電流加大，功率損耗增大，壓敏電壓下降。直流電壓作用后的老化，I-V特性不對稱；交流電壓作用下的老化。另老化后電容量減小，介電損耗增大。

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氧化鋅壓敏電阻器的使用方法：壓敏電阻器是一種無極性過電壓保護(hù)元件，無論是交流還是直流電路，只需將壓敏電阻器與被保護(hù)電器設(shè)備或元器件并聯(lián)即可達(dá)到保護(hù)設(shè)備的目的

源林電子的壓敏電阻廣受贊譽(yù)，可靠性高、性價比高，具有很強(qiáng)的市場競爭力，想了解更多壓敏電阻資料，歡迎來電咨詢！

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